PVT法通過感應加熱碳化硅粉料，在密閉生長腔室內高溫低壓下使其升華產生反應氣體，通過固—氣反應產生碳化硅單晶反應源，在生長腔室頂部設置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區形成碳化硅氣態前驅物，帶入低溫區沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過飽和溶液中析出碳化硅晶體來實現生長，需助熔劑提高碳溶解度。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！中國?國際先進陶瓷展覽會將于2025年3月10-12日在上海隆重舉辦，行業人士齊聚一堂，共襄盛會！3月10-12日華東區國際先進陶瓷技術會議

碳化硅芯片驗證周期長，批量生產難度大。碳化硅主驅芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現從設計到量產。國外廠商技術和產量的優勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅芯片供應端。國內企業尚處于可靠性驗證起始階段，未實現批量供應。國產主驅芯片需克服可靠性驗證和批量化生產兩大難關，確保大規模供應的同時保證產品品質穩定是行業性難題?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10至12日中國上海市先進陶瓷技術展覽會“2025年中國?國際先進陶瓷展覽會：粉末冶金及硬質合金展、3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！

碳化硅半導體屬于高度技術密集型行業，具有較高的技術、人才、資金、資源和認證壁壘，高度依賴于技術及生產經驗。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭相投資，碳化硅產業成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業競爭。同時，全球碳化硅半導體行業市場集中度較高，市場份額主要被美國、歐洲、日本等國?家和地區的企業占據，國內企業未來將面臨國際先進企業和國內新進入者的雙重競爭。若競爭過早進入白熱化，會對大批初創科技型碳化硅企業的成長造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現了突出的性能優勢，具有極高的產業價值，被當下業內稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國家戰略性需求的重要行業。我們通過對碳化硅產業鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環節的價值分析，揭示碳化硅產業鏈的發展趨勢以及面臨的機遇與挑戰。五展聯動孕育無限發展商機IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀！“第十七屆中國國際先進陶瓷展覽會同期展會：粉末冶金及硬質合金展、 2025年3月10-12日上海世博展覽館。

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強度，而后者會降低熱循環能力。對于那些整合了極端熱和機械應力的應用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?；澹ㄌ沾桑┖蛯w（銅）的熱膨脹系數存在很大差異，會在熱循環期間對鍵合區產生壓力，進而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應用的增長，設計者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰性的新技術發展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長10倍或者更高，所以氮化硅基板能夠提供對于達到必要的可靠性要求至關重要的機械強度。陶瓷基板的壽命是由在不出現剝離和其它影響電路功能與安全的故障的情況下，基板可以承受的熱循環重復次數來衡量的。該測試通常是通過從-55°C到125°C或者150°C對樣品進行循環運行來完成的?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！中國?國際先進陶瓷展覽會，為行業搭建共享共贏的商貿平臺，2025年3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨！2025年3月10日華東國際先進陶瓷粉末冶金展覽會

“中國?國際先進陶瓷展”多方位展示企業智造實力，搭建行業共享共贏的商貿平臺，2025年3月10-12日上海見！3月10-12日華東區國際先進陶瓷技術會議

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質外延，半絕緣型對應異質外延。同質外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領域如新能源汽車、軌道交通、智能電網、光伏發電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！3月10-12日華東區國際先進陶瓷技術會議