相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導通電阻、開關頻率等方面具有較好的優勢。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開關頻率超過1kHz時，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開關損耗相比可降低多達80%，整體功率損耗降低66%。導通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數量和占位面積。SiC MOSFET的工作結溫和熱穩定性更高，可達200℃或更高，適用于汽車市場，其高耐溫性可降低系統散熱要求和導通電阻偏移。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！深耕行業市場，開拓業務網絡，新之聯伊麗斯誠邀您相聚2025年3月10日中國?國際先進陶瓷展覽會！2025年3月10日中國上海市先進陶瓷展

碳化硅單晶材料按電學性能分導電型和半絕緣型，而導電型對應同質外延，半絕緣型對應異質外延。同質外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件，適用于電子電力領域如新能源汽車、軌道交通、智能電網、光伏發電等；在導電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環境如5G通訊、雷達、國?防jun工等領域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！3月10日至12日中國上海國際先進陶瓷技術專題論壇靠技術騰飛，借展會布局，云集中外品牌的“中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日我們上海見！

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強度，而后者會降低熱循環能力。對于那些整合了極端熱和機械應力的應用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇。基板（陶瓷）和導體（銅）的熱膨脹系數存在很大差異，會在熱循環期間對鍵合區產生壓力，進而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應用的增長，設計者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰性的新技術發展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長10倍或者更高，所以氮化硅基板能夠提供對于達到必要的可靠性要求至關重要的機械強度。陶瓷基板的壽命是由在不出現剝離和其它影響電路功能與安全的故障的情況下，基板可以承受的熱循環重復次數來衡量的。該測試通常是通過從-55°C到125°C或者150°C對樣品進行循環運行來完成的。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！

在半導體制造領域，增大晶片尺寸是提高半導體產品競爭力的關鍵途徑。對于同一規格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！先進制造業新發展格局“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日上海世博展覽館！

國內碳化硅襯底產品以4英寸和6英寸為主，少數企業實現8英寸量產，與國際廠商仍有一定差距。我國碳化硅產業起步較晚，國內廠商與國外企業在碳化硅襯底產品上存在差距。國內以4英寸和6英寸為主，而國際廠商如Wolfspeed、意法半導體在2023年已能夠大批量穩定供應8英寸襯底。國內碳化硅襯底企業天岳先進2024年5月披露，公司8英寸導電型襯底產品已經實現批量交貨，將推動頭部客戶向8英寸轉型，但8英寸產品品質和良率與國際廠商還有一定差距。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。誠邀您蒞臨參觀！“中國?國際先進陶瓷展覽會”匯聚國內外優秀企業和業界精英；展會將于2025年3月10日上海世博展覽館開幕！2025年3月10日中國上海市先進陶瓷展

行業精英齊聚一堂，為行業發展注入新動能。2025年3月10-12日中國?國際先進陶瓷展覽會！誠邀您蒞臨！2025年3月10日中國上海市先進陶瓷展

傳統硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優先選擇。為實現離子注入區域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調節注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發科及日清公司，國內廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日中國上海市先進陶瓷展