據在不同溫度下固結的氧化鋁陶瓷的密度，在900℃時(60.3%)，1100℃(81.9%)和1300℃(97.4%)，對應于陶瓷燒結的初始、中間和**終階段。也就是說，無論在燒結的初始階段、中間階段或**終階段，施加振蕩壓力，它都有助于加速致密化。此外，施加振蕩壓力的溫度越高，越有利于致密化。在燒結的中間和***階段使用振蕩壓力也可以促進陶瓷的凝固。在所有三個階段中，暴露于振蕩壓力下的樣品的密度遠高于通過一步躍點或高壓燒結的樣品的密度。通過HP獲得的樣品顯示出比HOP燒結樣品更多孔的結構和更大的晶粒尺寸(1.75±0.27μm)。反過來，在HOP-ALL組的樣品中發現**小的晶粒尺寸(1.41±0.32μm)。因此，HOP-900、HOP-1100和HOP-1300試樣的粒度介于HP-ALL和HOP-ALL之間。振蕩壓力對晶粒生長的影響可能來自晶界能量的降低或曲率半徑的增加，或兩者兼而有之。OPS燒結樣品的硬度高于HP燒結樣品的硬度；HOP1300的硬度高于HOP-1100和HOP-900。HOP-ALL組ce分支的硬度值比較高(20.98±0.25GPa)。霍爾-佩奇效應描述了陶瓷材料的硬度取決于晶粒尺寸和孔隙率。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！入局先進陶瓷千億市場，就來9月深圳福田，2025華南國際先進陶瓷展！2025年9月10日中國上海國際先進陶瓷展會

高性能特種陶瓷材料也被稱作先進陶瓷、新型陶瓷，主要是指以高純度人工合成的無機化合物為原料，采用現代材料工藝制備，具有獨特和優異性能的陶瓷材料。因此，該材料被用于陶瓷基復合材料（CMC）的制備，具有低密度、高溫抗氧化、耐腐蝕、低熱膨脹系數、低蠕變等優點，在航空/航天/兵器/船舶等高技術領域有著廣泛應用。其中碳化硅基陶瓷復合材料是目前研究**為深入、商業化比較好的高性能特種陶瓷材料。為了提高燃機輸出效率，航空航天發動機、燃氣輪機的熱端部件需承受600℃～1200℃的高溫以及復雜應力的交互作用，材料要求非常苛刻。相較于高溫合金，碳化硅不僅能夠承受高溫，其密度*有高溫合金的1/4~1/3，這意味著發動機重量可以進一步降低，相同載油量情況下，飛機的航程及載彈量可大幅提升。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！9月10日先進陶瓷與粉末冶金展覽會陶瓷膜：生物制藥領域的“利器”，采購“陶瓷膜”，就來9月華南國際先進陶瓷展！

在現代工業中，陶瓷材料因其獨特的物理化學性質扮演著重要角色。鋁基陶瓷中的氮化鋁（AlN）和氧化鋁（Al?O?）是兩類備受關注的材料，但兩者的市場地位卻截然不同：氧化鋁占據主流，而氮化鋁的普及率不足30%。為何性能更優的氮化鋁未能取代氧化鋁？本文將深入探討其背后的科學邏輯與產業現實。氮化鋁的熱導率（170-200 W/(m·K)）是氧化鋁（20-30 W/(m·K)）的7-10倍。氮化鋁的介電常數（8.8）低于氧化鋁（9.8），且在高溫（>500℃）或高濕環境下，其絕緣電阻穩定性更優。氮化鋁對熔融金屬（如鋁、銅）的耐腐蝕性遠強于氧化鋁，且在強輻射環境下（如核工業），其晶體結構更不易被破壞。氮化鋁的產業化之路，始于一場與物理極限的較量。其合成工藝需在1800℃以上的高溫氮氣環境中完成，鋁粉純度必須高于99.99%，任何細微的氧雜質（超過0.1%）都會引發AlON雜相的生成，如同在純凈的晶體中埋下“導熱**”，使熱導率驟降30%以上。氧化鋁的制備，則是一曲工業化的成熟樂章。其原料成本低廉，工藝窗口寬泛，1500℃以下的常規燒結即可獲得致密陶瓷，生產成本*為氮化鋁的1/3至1/2。這種“碾壓級”的成本優勢，讓氧化鋁在工業化賽道上**。  2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！

半導體情報 (SC-IQ) 估計，2024 年半導體資本支出 (CapEx) 為 1550 億美元，比 2023 年的 1640 億美元下降 5%。我們對 2025 年的預測為 1600 億美元，增長 3%。2025 年的增長主要由兩家公司推動。比較大的代工公司臺積電計劃 2025 年的資本支出在 380 億美元至 420 億美元之間。使用中間值，這將增加 100 億美元或 34%。美光科技預計其截至 8 月的 2025 財年的資本支出為 140 億美元，比上一財年增加 60 億美元或 73%。不包括這兩家公司，2025 年半導體總資本支出將比 2024 年減少 120 億美元或 10%。資本支出比較大的三家公司中有兩家計劃在 2025 年大幅削減開支，英特爾下降 20%，三星下降 11%。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！黃金展位火熱預定中！解鎖海外訂單，就在9月10-12日，深圳福田會展中心，2025華南先進陶瓷展！

生物制藥行業在生產過程中對分離和純化系統有非常嚴格的要求，必須能夠應對高溫侵蝕性溶劑、強酸、強堿、進料固含量高、黏度大和其他苛刻的操作條件。陶瓷膜因其獨特的耐細菌、耐高溫和化學穩定性等特性，已成為生物制藥行業優先選擇的分離技術。陶瓷膜是一種經特殊工藝制備而形成的無機膜，常采用Al2O3、ZrO2、TiO2、SiC、SiO2以及其組合物等無機陶瓷材料作為原材料。陶瓷膜孔徑涵蓋微濾（孔徑﹥50nm）、超濾（2nm<孔徑<50nm）以及納濾（孔徑<2nm）等全部膜孔徑范圍。現有商業化陶瓷膜一般有平板、卷式、管式、中空纖維式和毛細管式五種類型。所有類型的陶瓷膜一般具有三層結構：底層為疏松多孔支撐體，在不影響通量的情況下為整個膜提供機械強度，利用干壓成型或注漿成型，通過固態粒子燒結法制備而得；支撐層之上為中間層，再到分離層，其膜孔逐漸變小，通過孔徑篩分起到選擇透過的功能，多為浸漿成型后，采用溶膠凝膠法制備。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展，就在9月10日-12日，深圳會展中心（福田）2號館！ 2025年SiC市場趨勢：技術突破、價格戰與產業洗牌，9月華南國際先進陶瓷展，就在深圳福田會展中心！9月10日先進陶瓷與粉末冶金展覽會

隱形守護者：先進陶瓷重塑春晚機器人系統，一起與9月10-12日華南國際先進陶瓷展探究新科技！2025年9月10日中國上海國際先進陶瓷展會

隨著半導體技術的不斷發展，先進封裝作為后摩爾時代全球集成電路的重要發展趨勢，正日益受到***關注。受益于AI、服務器、數據中心、汽車電子等下游強勁需求，半導體封裝朝著多功能、小型化、便攜式的方向發展，先進封裝市場有望加速滲透。據Yole的數據，全球先進封裝市場規模預計將從2023年的378億美元增長至2029年的695億美元，復合年增長率達到10.7%。傳統封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進行封裝；而晶圓級封裝則是先在晶圓上進行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。晶圓級封裝方法能夠進一步細分為以下四種不同類型：其一，晶圓級芯片封裝（WLCSP），能夠直接在晶圓的頂部形成導線和錫球（SolderBalls），且無需基板。其二，重新分配層（RDL），運用晶圓級工藝對芯片上的焊盤位置進行重新排列，焊盤與外部通過電氣連接的方式相連接。其三，倒片（FlipChip）封裝，在晶圓上形成焊接凸點，以此來完成封裝工藝。其四，硅通孔（TSV）封裝，借助硅通孔技術，在堆疊芯片的內部實現內部連接。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！2025年9月10日中國上海國際先進陶瓷展會