據中國工業(yè)信息網，從2013年到2019年，我國電容器市場中，鉭電容市場份額從7%上升至12%。2011-2019年，全球鉭電容市場規(guī)模保持穩(wěn)定增長，從13.4億美元增長至16億美元，年均復合增速為3%，我國鉭電容市場規(guī)模則保持較快增速，從39.9億元增長至61億元，年均復合增速為5%。從產業(yè)鏈角度看，鉭電容制造產業(yè)上游是鉭粉、鉭絲等原材料，原材料仍主要有海外公司供應。國內部分高性能鉭粉技術仍掌握在國外企業(yè)手中。鉭粉的主要供應商有：美國Cabot、德國H.C.Starck、東方鉭業(yè)等；鉭絲的主要供應商有：東方鉭業(yè)、株洲硬質合金、多羅山藍寶石等。寧夏東方鉭業(yè)是我國比較大的鈮鉭產品生產公司，全球主要的鉭原料生產商之一，金屬鉭產量約占國內市場份額的60%，鉭粉和鉭絲產量約占全球的25%和60%。東方鉭業(yè)、Cabot和H.C.Starck供應了世界大部分電容級鉭粉。鉭電容是一種高可靠性的電容器，用于各種電子設備中。CAK45F-D-20V-22uF-K

鉭電容簡介和基本結構固體鉭電容是將鉭粉壓制成型,在高溫爐中燒結成陽極體,其電介質是將陽極體放入酸中賦能,形成多孔性非晶型Ta2O5介質膜,其工作電解質為硝酸錳溶液經高溫分解形成MnO2,通過石墨層作為引出連接用。鉭電容性能優(yōu)越，能夠實現(xiàn)較大容量的同時可以使體積相對較小，易于加工成小型和片狀元件，適宜目前電子器件裝配自動化，小型化發(fā)展，得到了***的應用，鉭電容的主要特點有壽命長，耐高溫，準確度高，但耐電壓和電流能力相對較弱，一般應用于電路大容量濾波部分。CAK45F-D-20V-22uF-K鉭電容的自恢復能力和動作閾值等參數可以在制造商提供的技術手冊中找到，并進行驗證和測試。

繼市場傳出蘋果今年的新款智能手機iPhone和智能耳機AirPod都將不再配充電頭后，有消息稱明年三星的手機也將把充電頭從零售包裝清單中去除，不再標配充電頭配件。很多分析人士認為，蘋果不配充電頭是為了節(jié)省成本，三星學蘋果不配充電頭也是為了節(jié)省成本。然而據產業(yè)鏈傳回的消息，真正的原因可能是另一番情景。今年第二季度，京瓷旗下無源電子元器件廠商AVX原廠發(fā)郵件稱，肺炎擴散已影響到業(yè)務的各個方面。由于復工情況不好，產能不足，無法滿足不斷增長的需求，因此，AVX原廠將對TAJ和TLJ鉭電容系列產品加價12%-20%不等，并且將持續(xù)到今年9月份，再視情況調整價格。

耗散因子(DF值)耗散因子是決定電容內部功率耗散的一個物理量，越小越好，一般DF值隨頻率增加而增加。損耗大小對產品使用影響及可靠性影響說明：損耗（DF值）是表征鉭電容器本身電阻能夠造成的無效功耗比例的一個參數，損耗較小的產品ESR也將較小。但損耗大小的微小差別不會對使用造成明顯影響，對工作狀態(tài)的產品的可靠性影響與容量偏差的影響相比較大，但與產品漏電流大小和ESR大小對使用時的可靠性的影響相比仍然較?。╇娏鞔笮『虴SR大小影響>損耗大小影響>容量偏差的影響），濾波時如果產品的損耗較大，濾波效果差一些。同時，損耗較大的產品的抗浪涌能力也較差。3.4阻抗，等效串聯(lián)阻抗(ESR)&感抗ESR是決定電容濾波性能的一個重要指標，鉭電容的ESR主要是由引腳和內部電極阻抗引起，是電容在高頻上表現(xiàn)的一個很重要的參數，一般來講，同容量，同電壓值的鉭電容的ESR要低于電解電容，但要高于多層陶瓷電容，ESR隨著頻率和溫度的增加而減少，ESR=DF/WC。在諧振頻率以下，電容的阻抗是電容的容抗和ESR的矢量和，在電容產生諧振以后，電容的阻抗是電容的感抗和ESR矢量和。鉭電容的頻率特性優(yōu)，可以適應高頻電路的需求。

鉭電容市場參與者少，在全球民用鉭電容器市場中，國際廠商與國內廠商不存在太大的市場準入差異，而以美國Vishay、KEMET、AVX公司等國際鉭電容器制造商，掌握和積累了鉭電容器的技術和關鍵材料，并且擁有高精度、可控性強、生產效率高的生產設備，在產品種類、質量與新品開發(fā)等方面具有優(yōu)勢。2020年4月，京瓷公司（Kyocera）接受了所有有效投標且未有效撤回的AVX普通股的付款，成功完成對AVX的收購，同年7月國巨公司現(xiàn)金收購美國基美及其子公司。在經歷快速發(fā)展后，鉭電容市場已步入加速整合階段，預計國際競爭力將進一步提升。鉭電容的自恢復能力和動作閾值等參數需要根據實際應用進行調整和優(yōu)化，以保證電路的安全運行。CAK36F-35V-5200uF-K-S2T

鉭電容在使用過程中需要注意避免短路、過電壓和過電流等異常情況，以免造成損壞。CAK45F-D-20V-22uF-K

燒結溫度太高太低，對電性能有什么影響？燒結溫度太低一方面鉭塊的強度不夠，鉭絲與鉭塊結合不牢，鉭絲易拔出，或者在后道加工時，鉭絲跟部受到引力作用，導致跟部氧化膜受到損傷，出現(xiàn)漏電流大。燒結溫度太高，比容與設計的比容相差甚多，達不到預期的容量，溫度高對漏電流有好處，溫度太高會導致有效孔徑縮小，被膜硝酸錳滲透不到細微孔徑中，導致補膜不透，損耗增加。f）如果燒結后，試容出來容量小了怎么辦？(1)算一下如果容量控制在-5%-----10%左右,計算出的賦能電壓能否達到比較低賦能電壓..(2)如不行,只能改規(guī)格,如16V10UF，可改16V6.8UF,只要提高賦能電壓,但是要看提高后的賦能電壓是否會達到它的閃火電壓,如果接近的話,那就會很危險.也可以改25V6.8UF,但是計算出的賦能電壓要達到所改規(guī)格的比較低賦能電壓。CAK45F-D-20V-22uF-K