KEMET鉭電容的關鍵材料鉭具有優異的化學穩定性,其表面形成的五氧化二鉭氧化膜化學惰性強,不易與酸堿、水汽等發生反應。在潮濕、多塵或存在輕微腐蝕性氣體的環境中,電容的封裝材料與內部元件也能保持穩定的化學狀態,電容值、損耗角正切等關鍵參數的變化率控制在極低水平。這種受環境因素影響小的特性,使其在戶外通信基站、工業車間、海洋設備等復雜環境中仍能長期穩定工作,減少了因環境腐蝕導致的電容失效問題,明顯提升了電子設備的環境適應性。鉭電容在手機電源管理電路中,通過低ESR特性降低紋波干擾,保障處理器與通信模塊穩定運行。GCA41-E-40V-4.7uF-K
賦能:通過電化學反應,制得五氧化二鉭氧化膜,作為鉭電容器的介質。b)氧化膜厚度:電壓越高,氧化膜的厚度越厚,所以提高賦能電壓,氧化膜的厚度增加,容量就下降c)氧化膜的顏色:不同的形成電壓干涉出的氧化膜的顏色也不同,隨著電壓的升高,顏色呈周期性化。d)形成電壓:經驗公式(該公式只能在小范圍內提高電壓,如果電壓提高的幅度很大,就不是很準確,要加保險系數)。C2------要示的容量C2=KCR(K根據后道的容量收縮情況而定,可適時修改,一般情況下,容量小,后道容量損失較小,容量大,后道容量損失就大,低比容粉,容量損失較小,比容越高,后道容量損失就越大。通常,CR≤1UF,K=;CR>1UF,K=)。GCA351-100V-15uF-K-2對于電路中存在的交流紋波過高而導致的電容器失效問題,很多電路設計師都忽略其危害性或認識不夠。
密要均勻不能有上松下緊,或下緊上松的現象。否則會導致松的地方耐壓降低。鉭坯高度要在允許差范圍內,詳細見工藝文件。g)成型注意事項:(1)粉重(2)壓密(3)高度(4)鉭絲埋入深度(5)換粉時一定要將原來的粉徹底從機器內清理干凈。(6)不能徒手接觸鉭粉、鉭坯,謹防鉭粉、鉭坯受到污染。杜絕在可能有鉭粉的部位加油。(7)成型后的鉭坯要放在干燥器皿內密封保存,并要盡快燒結,一般不超過24小時。(8)每個坩堝要有伴同小卡,寫明操作者、日期、規格、粉重等情況,此卡跟隨工單一起流轉,要在賦能后把數據記在工單上才能扔掉,以防在燒結賦能、被膜出了質量問題可以倒追溯。
鉭電容是一種電子元件,它使用鉭作為電極材料,通過在鉭電極上形成氧化層來實現電容效應。鉭電容具有以下特點:1.高電容密度:鉭電容的電容密度相對較高,可以在相對較小的體積內提供較大的電容值。2.低ESR:ESR(EquivalentSeriesResistance)是電容器內部的等效串聯電阻,鉭電容的ESR相對較低,可以提供更好的電流響應和功率傳輸。3.低漏電流:鉭電容的漏電流非常低,可以在長時間使用時保持電荷的穩定性。4.高工作溫度:鉭電容可以在較高的工作溫度下正常運行,通常可達到125°C或以上。5.長壽命:由于鉭電容使用了穩定的鉭材料和氧化層,具有較長的使用壽命。需要注意的是,鉭電容相對于其他類型的電容器來說,價格較高,因此在選擇使用時需要根據具體的應用需求和成本考慮。 因此,鉭電容失效主要表現為短路性失效。
AVX鉭電容憑借先進的粉末冶金工藝與薄膜技術,在有限的封裝尺寸內實現了超高的電容密度,其體積相較傳統電容縮減30%以上,卻能提供同等甚至更高的電容量。這一特性完美契合了當下智能手機、智能手表、無人機等便攜式電子設備對小型化、輕量化的關鍵需求,為工程師在電路設計中節省出更多空間,助力產品在外觀設計與功能集成上實現突破,推動電子設備向更緊湊、更高效的方向發展。AVX 鉭電容的自愈性能源于其特殊的氧化膜修復機制。當電容內部因局部電場過強出現微小擊穿時,周圍的介質會迅速發生氧化反應,形成新的絕緣層,自動修復受損區域,阻止故障的進一步擴大。這一過程無需外部干預,能在毫秒級時間內完成,有效降低了電容因局部損壞而整體失效的風險。在長期使用中,這種自愈能力明顯延長了電容的使用壽命,減少了設備因電容故障導致的停機次數,對于保障醫療設備、航空電子等關鍵領域的連續運行具有重要意義。在賦能、老煉等過程中,這些疵點在電壓、溫度的作用下轉化為場致晶化的發源地—晶核。CAK-1-6V-10uF-K-A
容量精度高,能夠滿足一些對精度要求較高的應用需求。GCA41-E-40V-4.7uF-K
AVX鉭電容的生產工藝一般包括以下主要步驟:原材料檢驗:對鉭粉、鉭絲等原材料進行嚴格檢驗,確保其質量符合要求,這些原材料通常由可靠的供應商提供47。成型工序:將粗細比例不同的顆粒鉭粉與溶解于溶劑中的粘合劑均勻混合,待溶劑揮發后,再與鉭絲一起壓制成陽極鉭塊。此工序自動化程度較高,每隔一定時間,操作員將混好的鉭粉倒入進料盤,設備自動按照尺寸模腔壓制成型47。脫臘和燒結:脫臘(預燒):去除壓制成型的鉭塊內的粘結劑4。燒結:將已經脫粘結劑的鉭塊燒結成為具有一定機械強度的微觀多孔體。燒結過程中,顆粒與顆粒間接觸的部分熔合在一起,但要嚴格控制燒結溫度,避免溫度過高導致顆粒與顆粒之間的熔合部分過多,使表面面積減少。 GCA41-E-40V-4.7uF-K