KEMET鉭電容憑借先進的材料科學與精密制造工藝，實現了極高的電容密度，每立方厘米可達到數千微法的電容量。這意味著在相同的空間內，它能儲存更多的電能，為電路提供更持久的能量支持。在空間受限的電子設備中，如智能穿戴設備的電池管理模塊、小型傳感器節點等，這種高電容密度特性讓工程師無需為容納大電容而放棄設備的小型化設計。同時，高電容密度也減少了電容的使用數量，簡化了電路布局，降低了系統的整體重量與成本，為電子設備的集成化發展提供了有力支持。基美鉭電容，低阻抗特性突出，有效降低電路能量損耗，提升效率。CAK45L-B-35V-1.5uF-K

在脈沖充放電電路，鉭電容器會不斷承受峰值功率可能達到幾十安培的浪涌電流沖擊，而且有時候充放電的頻率也可能達到幾百甚至幾千HZ；在此類電壓基本穩定，浪涌電流不斷的電路，鉭電容器的可靠性不光取決于產品耐壓高低及伏安特性和高低溫性能，還取決于產品的等效串聯電阻ESR的高低，因為ESR值較大的產品在高浪涌時瞬間就會產生更多的熱量積累，非常容易導致產品出現擊穿。因此，鉭電容器ESR值的高低直接可以決定產品的抗直流浪涌能力。CAK70-16V-47uF-K-4在賦能、老煉等過程中,這些疵點在電壓、溫度的作用下轉化為場致晶化的發源地—晶核。

賦能：通過電化學反應，制得五氧化二鉭氧化膜，作為鉭電容器的介質。b)氧化膜厚度：電壓越高，氧化膜的厚度越厚，所以提高賦能電壓，氧化膜的厚度增加，容量就下降c)氧化膜的顏色：不同的形成電壓干涉出的氧化膜的顏色也不同，隨著電壓的升高，顏色呈周期性化。d)形成電壓：經驗公式（該公式只能在小范圍內提高電壓，如果電壓提高的幅度很大，就不是很準確，要加保險系數）。C2------要示的容量C2=KCR(K根據后道的容量收縮情況而定,可適時修改，一般情況下，容量小，后道容量損失較小，容量大，后道容量損失就大，低比容粉，容量損失較小，比容越高，后道容量損失就越大。通常，CR≤1UF，K=；CR>1UF,K=)。

據中國工業信息網，從2013年到2019年，我國電容器市場中，鉭電容市場份額從7%上升至12%。2011-2019年，全球鉭電容市場規模保持穩定增長，從13.4億美元增長至16億美元，年均復合增速為3%，我國鉭電容市場規模則保持較快增速，從39.9億元增長至61億元，年均復合增速為5%。從產業鏈角度看，鉭電容制造產業上游是鉭粉、鉭絲等原材料，原材料仍主要有海外公司供應。國內部分高性能鉭粉技術仍掌握在國外企業手中。鉭粉的主要供應商有：美國Cabot、德國H.C.Starck、東方鉭業等；鉭絲的主要供應商有：東方鉭業、株洲硬質合金、多羅山藍寶石等。鉭電容在汽車引擎控制系統中提供穩壓支持，其耐高溫特性適應發動機艙極端環境。

CA42系列鉭電容通常采用插件式封裝，方便焊接和安裝。樹脂包封、單向引線、引線形狀多樣化、有極性；電性能穩定、可靠性好、體積小、適用溫度寬；適用于電視、電話、影碟機、儀器儀表、兵器等高密度組裝的印刷電路和小型化的jun用電子設備的直流或脈動電路。插件式鉭電容CA42系列是一種鉭電容器件，常用于電子電路中的濾波、耦合和繞組等應用。它具有高頻率響應、低ESR（等效串聯電阻）和低ESL（等效串聯電感）等特點，適用于高性能和高可靠性的電子設備。由于鉭電容的電性能穩定,且有獨特的“自愈”特性，鉭電容鮮有參數變化引起的失效。GCA44-C-50V-0.68uF-K

一般來說,在濾波和大功率充放電電路,必須使用ESR值盡可能低的鉭電容器。CAK45L-B-35V-1.5uF-K

隨著信息技術和電子設備的快速發展及國際制造業向中國轉移，電容器需求呈現出整體上升態勢，我國電容器產業也快速發展成為世界電容器生產大國和出口大國。電容器產量約占整個電子元件的40%，且需求不斷擴大。鉭電容器誕生于1956年，是四大電容產品（MLCC/鋁電解/鉭電容/薄膜電容）之一。鉭電容器產量較小，價格較貴，在整個電容器市場的應用占比較低；且擁有高能量密度、高可靠性、穩定的電性能、較寬的工作溫度范圍等特點，尤其是具有“自愈性”；鉭電容相應成本也高，主要應用于高可靠性電子設備，以及5G等民品市場。CAK45L-B-35V-1.5uF-K