LED的光學參數中重要的幾個方面就是：光通量、發光效率、發光強度、光強分布、波長。發光效率和光通量發光效率就是光通量與電功率之比，單位一般為lm/W。發光效率**了光源的節能特性，這是衡量現代光源性能的一個重要指標。發光強度和光強分布LED發光強度是表征它在某個方向上的發光強弱，由于LED在不同的空間角度光強相差很多，隨之而來我們研究了LED的光強分布特性。這個參數實際意義很大，直接影響到LED顯示裝置的**小觀察角度。比如體育場館的LED大型彩色顯示屏，如果選用的LED單管分布范圍很窄，那么面對顯示屏處于較大角度的觀眾將看到失真的圖像。而且交通標志燈也要求較大范圍的人能識別。二極管是早誕生的半導體器件之一，其應用非常。寶山區特點二極管設計

紫外發光二極管是氮化物技術發展和第三代半導體材料技術發展的主要趨勢，擁有廣闊的應用前景。中國科技部為了加快第三代半導體固態紫外光源的發展，爭施了“第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術”重點研發計劃專項（2016YFB0400800）。國家重點研發計劃的支持和國際紫外材料與器件研討會的舉辦，將為加快實現我國第三代半導體紫外光源的市場化應用，帶動我國紫外半導體發光二極管材料和器件技術創親及產業化發展發揮積極的作用。 [4]楊浦區本地二極管量大從優因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。

二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED。發光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發光二極管。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。砷化鎵二極管發紅光，磷化鎵二極管發綠光，碳化硅二極管發黃光，氮化鎵二極管發藍光。因化學性質又分有機發光二極管OLED和無機發光二極管LED。ED**初用于儀器儀表的指示性照明，隨后擴展到交通信號燈。再到景觀照明、車用照明和手機鍵盤及背光源。后來發展出微型發光二極管(micro-LED)的新技術，其將原本發光二極管的尺寸大幅縮小，用可**發光的紅、藍、綠微型發光二極管成陣列排列形成顯示陣列用于顯示技術領域。微型發光二極管具有自發光顯示特性，比自發光顯示的有機發光二極管(Organic Light Emitting DiodeOLED)效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定。對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。寶山區特點二極管圖片

負極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時，二極管導通， 加上反向電壓時，二極管截止。寶山區特點二極管設計

在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。 [4]伏安特性二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 [5]。圖2 二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示 [4]。寶山區特點二極管設計

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