廣東吉田半導體材料有限公司憑借技術創新與質量優勢，在半導體材料行業占據重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產品，其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強酸強堿環境，適用于高精度納米結構制造；LCD 光刻膠以高穩定性和精細度成為顯示面板行業的推薦材料。此外，公司還提供焊片、靶材等配套材料，滿足客戶多元化需求。
在技術層面，吉田半導體通過自主研發與國際合作結合，持續優化生產工藝，實現全流程自動化控制。其生產基地配備先進設備，并嚴格執行國際標準，確保產品性能達到國際水平。同時，公司注重人才培養與引進，匯聚化工、材料學等領域的專業團隊，為技術創新提供堅實支撐。未來，吉田半導體將繼續以 “中國前列半導體材料方案提供商” 為愿景，推動行業技術升級與國產化進程。
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以 15% 年研發投入為驅動，吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發，搶占行業制高點。布局下一代光刻技術。
面對極紫外光刻技術挑戰，吉田半導體與中科院合作開發化學放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm）和耐蝕性（>80%）指標上取得階段性進展。同時，公司前瞻性布局木基光刻膠研發，對標日本王子控股技術，探索生物基材料在半導體封裝中的應用。這些技術儲備為 7nm 及以下制程提供支撐，助力中國在下一代光刻技術中占據重要地位。內蒙古光刻膠品牌半導體材料方案選吉田，歐盟 REACH 合規，24 小時技術支持！
LCD顯示
彩色濾光片（CF）：
黑色矩陣（BM）光刻膠：隔離像素，線寬精度±2μm，透光率<0.1%。
RGB色阻光刻膠：形成紅/綠/藍像素，需高色純度（NTSC≥95%）和耐光性。
陣列基板（Array）：
柵極絕緣層光刻膠：用于TFT-LCD的柵極圖案化，分辨率≤3μm。
OLED顯示（柔性/剛性）
像素定義層（PDL）光刻膠：在基板上形成有機發光材料的 confinement 結構，線寬精度±1μm，需耐溶劑侵蝕（適應蒸鍍工藝）。
觸控電極（如ITO/PET）：通過光刻膠圖形化實現透明導電線路，線寬≤5μm。
Mini/Micro LED
巨量轉移前的芯片制備：使用高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）定義微米級LED陣列，良率要求>99.99%。
光刻膠的主要應用領域
光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應用于以下領域：
半導體制造
功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。
分類：
正性光刻膠：曝光區域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。
負性光刻膠：未曝光區域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。
技術演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示（LCD/OLED）
彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。
電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板（PCB）
線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導電線路。
阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構，需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。
Micro-LED：微米級芯片轉移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。
吉田半導體實現光刻膠技術突破，為半導體產業鏈自主化提供材料支撐。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。
厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠：分辨率優異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
正性光刻膠
吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。深圳LED光刻膠生產廠家
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LCD 正性光刻膠 YK-200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝，確保 LCD 生產中圖形精確轉移和良好涂布效果。
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半導體正性光刻膠 YK-300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導體制造工藝，滿足半導體器件對光刻膠在化學穩定性和電氣性能方面的要求。
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主要優勢：細分領域技術突破與產業鏈協同
技術積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發經驗，實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系，分辨率達3μm，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域，填補了國內空白。
技術壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。
產品多元化與技術化布局
產品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：
LCD光刻膠：適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術，與京東方、TCL華星合作開發高分辨率產品，良率提升至98%。
半導體錫膏：供應華為、OPPO等企業，年采購量超200噸，用于5G手機主板封裝。
技術化延伸：計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發，目標進入中芯國際、長江存儲供應鏈。
質量控制與生產能力
通過ISO9001:2008質量體系認證，生產環境執行8S管理，原材料采用美、德、日進口高質量材料。擁有全自動化生產線，年產能達2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規模訂單交付。
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