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山西光刻機(jī)化合物半導(dǎo)體應(yīng)用

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-03-08

EVG101光刻膠處理系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)涂層模塊-旋轉(zhuǎn)器參數(shù)

轉(zhuǎn)速:**/高10 k rpm

加速速度:**/高10 k rpm

噴涂模塊-噴涂產(chǎn)生

超聲波霧化噴嘴/高粘度噴嘴

開發(fā)模塊-分配選項(xiàng)

水坑顯影/噴霧顯影


EVG101光刻膠處理系統(tǒng)附加模塊選項(xiàng):

預(yù)對(duì)準(zhǔn):機(jī)械


系統(tǒng)控制參數(shù):

操作系統(tǒng):Windows

文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)/離線程序編輯器

靈活的流程定義/易于拖放的程序編程

并行處理多個(gè)作業(yè)/實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問,診斷和故障排除


多語(yǔ)言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR


了解客戶需求和有效的全球支持,這是我們提供優(yōu)先解決方案的重要基礎(chǔ)。山西光刻機(jī)化合物半導(dǎo)體應(yīng)用

我們可以根據(jù)您的需求提供進(jìn)行優(yōu)化的多用途系統(tǒng)。

我們的掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于從掩模對(duì)準(zhǔn)到鍵合對(duì)準(zhǔn)的快速簡(jiǎn)便轉(zhuǎn)換。此外,可以使用用于壓印光刻的可選工具集,例如UV-納米壓印光刻,熱壓印或微接觸印刷。所有系統(tǒng)均支持原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證軟件,以提高手動(dòng)操作系統(tǒng)的對(duì)準(zhǔn)精度和可重復(fù)性。EVG620 NT / EVG6200 NT可從手動(dòng)到自動(dòng)基片處理,實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)。此外,所有掩模對(duì)準(zhǔn)器都支持EVG專有的NIL技術(shù)。如果您需要納米壓印設(shè)備,請(qǐng)?jiān)L問我們的官網(wǎng),或者直接聯(lián)系我們。 山東傳感器光刻機(jī)EVG620 NT / EVG6200 NT可從手動(dòng)到自動(dòng)的基片處理,能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)。

掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng):EVG的發(fā)明,例如1985年世界上較早的擁有底面對(duì)準(zhǔn)功能的系統(tǒng),開創(chuàng)了頂面和雙面光刻,對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合和納米壓印光刻的先例,并設(shè)定了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG通過不斷開發(fā)掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品來(lái)增強(qiáng)這些**光刻技術(shù),從而在這些領(lǐng)域做出了貢獻(xiàn)。

EVG的掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)可容納尺寸**/大,尺寸和形狀以及厚度**/大為300 mm的晶片和基板,旨在為高級(jí)應(yīng)用提供先進(jìn)的自動(dòng)化程度和研發(fā)靈活性的復(fù)雜解決方案。EVG的掩模對(duì)準(zhǔn)器和工藝能力已經(jīng)過現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證,并已安裝在全球的生產(chǎn)設(shè)施中,以支持眾多應(yīng)用,包括高級(jí)封裝,化合物半導(dǎo)體,功率器件,LED,傳感器和MEMS制造。

EVG ® 610特征:

晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''

頂側(cè)和底側(cè)對(duì)準(zhǔn)能力

高精度對(duì)準(zhǔn)臺(tái)

自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列

電動(dòng)和程序控制的曝光間隙

支持**/新的UV-LED技術(shù)

**小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

分步流程指導(dǎo)

遠(yuǎn)程技術(shù)支持

多用戶概念(無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語(yǔ)言)

便捷處理和轉(zhuǎn)換重組

臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版


EVG ® 610附加功能:

鍵對(duì)準(zhǔn)

紅外對(duì)準(zhǔn)

納米壓印光刻(NIL)


EVG ® 610技術(shù)數(shù)據(jù):

對(duì)準(zhǔn)方式

上側(cè)對(duì)準(zhǔn):≤±0.5 μm

底面要求:≤±2,0 μm

紅外校準(zhǔn):≤±2,0 μm /具體取決于基板材料

鍵對(duì)準(zhǔn):≤±2,0 μm

NIL對(duì)準(zhǔn):≤±2,0 μm EVG的CoverSpin TM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗,并提高光刻膠涂層的均勻性。

光刻機(jī)處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂層平臺(tái)(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均為300mm,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中,并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。高級(jí)封裝:在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口 ;在EVG的IQ

Aligner NT®上進(jìn)行撞擊40μm厚抗蝕劑;負(fù)側(cè)壁,帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層; 金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間;用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu),用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果;西門子星狀測(cè)試圖暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力;MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。 HERCULES的橋接工具系統(tǒng)可對(duì)多種尺寸的晶圓進(jìn)行易碎,薄或翹曲的晶圓處理。研究所光刻機(jī)學(xué)校會(huì)用嗎

EVG已經(jīng)與研究機(jī)構(gòu)合作超過35年,能夠深入了解他們的獨(dú)特需求。山西光刻機(jī)化合物半導(dǎo)體應(yīng)用

EVG6200 NT特征:

晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''

系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持光刻工藝的多功能性

在第/一次光刻模式下的吞吐量高達(dá)180 WPH,在自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)模式下的吞吐量高達(dá)140 WPH

易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時(shí)間短

帶有間隔墊片的自動(dòng)無(wú)接觸楔形補(bǔ)償序列

自動(dòng)原點(diǎn)功能,用于對(duì)準(zhǔn)鍵的精確居中

具有實(shí)時(shí)偏移校正功能的動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)功能

支持**/新的UV-LED技術(shù)

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)

自動(dòng)化系統(tǒng)上的手動(dòng)基板裝載功能

可以從半自動(dòng)版本升級(jí)到全自動(dòng)版本

**小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

多用戶概念(無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權(quán)限,不同的用戶界面語(yǔ)言)

先進(jìn)的軟件功能以及研發(fā)與全/面生產(chǎn)之間的兼容性

便捷處理和轉(zhuǎn)換重組

遠(yuǎn)程技術(shù)支持和SECS / GEM兼容性

臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版 山西光刻機(jī)化合物半導(dǎo)體應(yīng)用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司位于中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號(hào)第五層六十五部位。公司自成立以來(lái),以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié),公司旗下磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測(cè)試儀器的批發(fā)深受客戶的喜愛。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力,努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí),遵守行業(yè)規(guī)范,植根于儀器儀表行業(yè)的發(fā)展。岱美儀器技術(shù)服務(wù)憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來(lái)的聲譽(yù)和口碑,讓企業(yè)發(fā)展再上新高。

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