1. 電阻檔測量將萬用表打到電阻檔，選擇適當的量程（根據被測二極管的型號和實際參數選擇），然后將紅黑表筆分別接觸二極管的兩端。正常情況下，二極管的正向電阻應該在幾十到幾百歐姆之間。如果測得電阻為零或者無窮大，則說明該二極管已經短路或者斷路，存在故障。
2. 電壓檔測量將萬用表打到電壓檔，選擇適當的量程（根據被測二極管的型號和實際參數選擇），然后將紅黑表筆分別接觸二極管的兩端。正常情況下，二極管的正向電壓應該為零或者接近于零，而反向電壓應該為無窮大或者接近于無窮大。如果測得正向電壓過高或者反向電壓過低，則說明該二極管存在故障。 Infineon模塊內置NTC溫度監測，實時保護過載，延長光伏逆變器的使用壽命。河北二極管銷售

二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 IXYS二極管報價多少錢西門康二極管模塊采用高性能硅片技術，具有低導通壓降和高開關速度，適用于工業變頻和電源轉換領域。

高電壓二極管模塊（耐壓超過3kV）通常用于高壓直流輸電（HVDC）、軌道交通和工業變頻器等場景。這類模塊的設計面臨多項挑戰，包括耐壓隔離、電場均布和散熱管理。為解決這些問題，制造商常采用多層DBC基板、分段屏蔽結構以及高性能絕緣材料（如AlN陶瓷）。此外，高電壓模塊還需通過嚴格的局部放電測試和熱循環驗證，以確保長期可靠性。例如，在風電變流器中，高壓二極管模塊需承受頻繁的功率波動和惡劣環境條件，因此其封裝工藝和材料選擇尤為關鍵。未來，隨著SiC和GaN技術的成熟，高壓二極管模塊的性能和功率密度將進一步提升。

并聯使用二極管模塊時，需串聯均流電阻（0.1-0.5Ω），避免電流分配不均。

二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示。
對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。 與分立二極管相比，模塊方案可減少 50% 以上的焊接點，降低虛焊風險。山東艾賽斯二極管

Infineon的EconoDUAL?封裝模塊兼容多拓撲結構，為風電變流器提供高性價比解決方案。河北二極管銷售

碳化硅（SiC）二極管模塊是近年來功率電子領域的重大突破，其性能遠超傳統硅基二極管。SiC材料的禁帶寬度（3.26eV）和臨界擊穿電場強度（10倍于硅）使其能夠承受更高的工作溫度和電壓，同時實現低導通損耗。例如，SiC肖特基二極管模塊的反向恢復電流幾乎為零，可大幅降低高頻開關損耗，適用于電動汽車電驅系統和大功率充電樁。此外，SiC模塊的耐溫能力可達200°C以上，明顯提升了系統可靠性。盡管成本較高，但SiC二極管模塊在新能源發電、航空航天等**領域的應用日益***，成為未來功率電子技術的重要發展方向。 河北二極管銷售