SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料（Eg=3.26eV）的特性實現超快開關。其金屬-半導體接觸形成的肖特基勢壘高度（ΦB≈1.2eV）決定了正向壓降（Vf≈1.5V@25℃）。與硅器件相比，SiC模塊的漂移區電阻降低90%（因臨界擊穿電場達3MV/cm），故1200V模塊的比導通電阻2mΩ·cm2。獨特的JBS（結勢壘肖特基）結構在PN結和肖特基結并聯，使模塊在高溫下漏電流仍<1μA（175℃時）。羅姆的SiC模塊實測顯示，其反向恢復電荷（Qrr）為硅FRD的1/5，可使逆變器開關頻率提升至100kHz以上。 快速恢復二極管模塊可明顯降低開關損耗，提升高頻電源轉換效率，適用于光伏和UPS系統。貴州艾賽斯二極管

英飛凌的HybridPACK? Drive系列SiC二極管模塊專為電動汽車設計，滿足AEC-Q101和ISO 26262 ASIL-D功能安全標準。該模塊采用碳化硅技術，開關頻率高達300kHz，雜散電感*7nH，使800V高壓平臺逆變器的效率突破99%。其創新設計包括銅基板直接水冷（熱阻0.1K/W）和增強型柵極驅動集成，保護響應時間縮短至100ns。在奔馳EQS等**電動車型中，該模塊可提升8%的續航里程，并將快充時間（10%-80% SOC）縮短至20分鐘。英飛凌還提供預測性健康監測算法，可提前500小時識別潛在故障，大幅提升系統可靠性。云南二極管規格是多少與分立二極管相比，模塊方案可減少 50% 以上的焊接點，降低虛焊風險。

外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。
采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。
由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。
二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 光伏逆變器中，IGBT 與二極管模塊并聯，構成功率開關單元實現能量雙向流動。

光伏發電系統中，二極管模塊主要用于旁路（Bypass）和防反灌（Blocking）功能。旁路二極管模塊在太陽能電池板部分遮蔭時，為電流提供替代路徑，避免“熱斑效應”損壞電池片，典型應用如光伏接線盒中的肖特基二極管模塊。防反灌模塊則防止夜間電池板反向消耗電能，通常采用大電流硅二極管模塊，耐壓高達1000V。模塊化的封裝（如TO-247）增強散熱能力，適應戶外高溫環境。此外，智能二極管模塊（如Tigo的優化器）還集成MPPT功能，進一步提升發電效率，成為分布式光伏系統的重要組件。 賽米控快速恢復二極管模塊可降低開關損耗，提升系統效率，是光伏逆變器和UPS電源的理想選擇。貴州艾賽斯二極管

高電壓二極管模塊采用優化封裝設計，耐壓可達數千伏，適用于工業變頻器和高壓電源。貴州艾賽斯二極管

二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示。
對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。 貴州艾賽斯二極管