SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料（Eg=3.26eV）的特性實現超快開關。其金屬-半導體接觸形成的肖特基勢壘高度（ΦB≈1.2eV）決定了正向壓降（Vf≈1.5V@25℃）。與硅器件相比，SiC模塊的漂移區電阻降低90%（因臨界擊穿電場達3MV/cm），故1200V模塊的比導通電阻2mΩ·cm2。獨特的JBS（結勢壘肖特基）結構在PN結和肖特基結并聯，使模塊在高溫下漏電流仍<1μA（175℃時）。羅姆的SiC模塊實測顯示，其反向恢復電荷（Qrr）為硅FRD的1/5，可使逆變器開關頻率提升至100kHz以上。 英飛凌二極管模塊采用PressFIT壓接技術，簡化安裝流程，降低工業自動化設備的維護成本。陜西二極管價格

二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 山西二極管價格表強迫風冷條件下，二極管模塊的額定電流可提升 30%-50%，延長使用壽命。

二極管模塊的絕緣性能依賴于封裝內部的介質層設計。在高壓模塊（如1700V SiC二極管模塊）中，氧化鋁（Al?O?）或氮化硅（Si?N?）陶瓷基板作為絕緣層，其介電強度可達20kV/mm。芯片與基板間采用高導熱絕緣膠（如環氧樹脂摻Al?O?顆粒）粘接，既保證電氣隔離又實現熱傳導。模塊外殼采用硅凝膠填充和環氧樹脂密封，防止濕氣侵入導致爬電失效。測試時需通過AC 3kV/1分鐘的耐壓測試和局部放電檢測（PD<5pC），確保在惡劣環境下（如光伏電站的鹽霧環境）長期可靠工作。

發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，常用于信號指示等電路中。
在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。
TVS 二極管模塊可瞬間吸收浪涌電流，用于防雷擊或靜電保護電路。

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。二極管有兩個電極，正極，又叫陽極；負極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時，二極管導通， 加上反向電壓時，二極管截止。 二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開 。二極管具有單向導電性能，導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。二極管是老早誕生的半導體器件之一，其應用非常廣。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成不同功能的電路，可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩壓等多種功能 。碳化硅（SiC）二極管模塊具有耐高溫、低導通損耗等優勢，助力新能源汽車電驅系統高效運行。上海二極管費用

整流二極管模塊常用于 AC-DC 轉換，通過橋式電路將交流電轉為脈動直流電。陜西二極管價格

英飛凌PrimePACK?系列二極管模塊專為大功率工業應用設計，如電機驅動、變頻器和重型機械。該模塊采用創新的彈簧接觸技術，有效降低接觸電阻（0.2mΩ），支持高達1400A的持續工作電流。其PressFIT壓接引腳設計避免了傳統焊接的疲勞問題，大幅提升模塊在振動環境下的可靠性。此外，PrimePACK?模塊內置高精度溫度傳感器（±1℃）和電流檢測端子，可實時監控運行狀態，確保系統安全。實際應用案例顯示，在起重機變頻系統中采用該模塊后，整體效率提升至98.5%，維護周期延長至5萬小時以上，明顯降低運營成本。陜西二極管價格