非破壞性分析(NDA)以非侵入方式分析樣品內部結構和性能,無需切割、拆解或化學處理,能保留樣品完整性,為后續研究留有余地,在高精度、高成本的半導體領域作用突出。
無損分析,通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像,全程無接觸,無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。在半導體制造中,可識別晶圓晶體缺陷;封裝階段,能檢測焊接點完整性或封裝層粘結質量;失效分析時,可定位內部短路或斷裂區域的隱性熱信號,為根源分析提供依據,完美適配半導體行業對高價值樣品的保護需求。 量化 SiC、GaN 等寬禁帶半導體的襯底熱阻、結溫分布,優化散熱設計。國產熱紅外顯微鏡大全
在微觀熱信號檢測領域,熱發射顯微鏡作為經典失效分析工具,為半導體與材料研究提供了基礎支撐。致晟光電的熱紅外顯微鏡,并非簡單的名稱更迭,而是由技術工程師團隊在傳統熱發射顯微鏡原理上,歷經多代技術創新與功能迭代逐步演變進化而來。這一過程中,團隊針對傳統設備在視野局限、信號靈敏度、分析尺度等方面的痛點,通過光學系統重構、信號處理算法升級、檢測維度拓展等創新,重新定義、形成了更適應現代微觀熱分析需求的技術體系。高分辨率熱紅外顯微鏡市場價芯片復雜度提升對缺陷定位技術的精度與靈敏度提出更高要求。
熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具,但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異,尤其在失效分析等專業領域各有側重。
從工作原理看,光學顯微鏡利用可見光(400-760nm 波長)的反射或透射成像,通過放大樣品的物理形態(如結構、顏色、紋理)呈現細節,其主要是捕捉 “可見形態特征”;而熱紅外顯微鏡則聚焦 3-10μm 波長的紅外熱輻射,通過檢測樣品自身發射的熱量差異生成熱分布圖,本質是捕捉 “不可見的熱信號”。
在主要功能上,光學顯微鏡擅長觀察樣品的表面形貌、結構缺陷(如裂紋、變形),適合材料微觀結構分析、生物樣本觀察等;熱紅外顯微鏡則專注于微觀熱行為解析,能識別因電路缺陷、材料熱導差異等產生的溫度異常,即使是納米級的微小熱點(如半導體芯片的漏電區域)也能精確捕捉,這是光學顯微鏡無法實現的。
從適用場景來看,光學顯微鏡是通用型觀測工具,廣泛應用于基礎科研、教學等領域;而熱紅外顯微鏡更偏向專業細分場景,尤其在半導體失效分析中,可定位短路、虛焊等隱性缺陷引發的熱異常,在新材料研發中能分析不同組分的熱傳導特性,為解決 “熱相關問題” 提供關鍵依據。
在產品全壽命周期中,失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析,它能定位失效部位,厘清失效機理 —— 無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發的問題,都能被系統拆解。在此基礎上,進一步提出針對性糾正措施,從源頭阻斷失效的重復發生。
作為貫穿產品質量控制全流程的關鍵環節,失效分析的價值體現在對全鏈條潛在風險的追溯與排查:在設計(含選型)階段,可通過模擬失效驗證方案合理性;制造環節,能鎖定工藝偏差導致的批量隱患;使用過程中,可解析環境因素對性能衰減的影響;質量管理層面,則為標準優化提供數據支撐。 熱紅外顯微鏡在電子產品研發階段,輔助優化熱管理方案 。
從傳統熱發射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術進化,不只是觀測精度與靈敏度的提升,更實現了對先進制程研發需求的深度適配。它以微觀熱信號為紐帶,串聯起芯片設計、制造與可靠性評估全流程。在設計環節助力優化熱布局,制造階段輔助排查熱相關缺陷,可靠性評估時提供精細熱數據。這種全鏈條支撐,為半導體產業突破先進制程的熱壁壘提供了扎實技術保障,助力研發更小巧、運算更快、性能更可靠的芯片,推動其從實驗室研發穩步邁向量產應用。
熱紅外顯微鏡通過熱輻射相位差算法,三維定位 3D 封裝中 Z 軸方向的失效層。高分辨率熱紅外顯微鏡方案
熱紅外顯微鏡在工業生產中,用于在線監測電子器件的熱質量 。國產熱紅外顯微鏡大全
在選擇 EMMI 微光顯微鏡時,需綜合考量應用需求、預算、技術參數及售后服務等因素。首先明確具體應用場景,例如 LED 檢測可能需要特定波長范圍,而集成電路分析則對分辨率要求更高。預算方面,進口設備系列價格昂貴,但成立年限長、有品牌加持。而選擇國產設備——如致晟光電自主全國產研發的RTTLIT 實時瞬態鎖相熱分析系統在性價比方面更好,且在靈敏度和各種參數功能上已接近進口水平,尤其在垂直芯片等場景中表現穩定,適合預算有限的常規檢測。
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