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MOSFET體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間指什么?

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

定義:反向偏置時(shí)存儲(chǔ)電荷耗盡時(shí)間,標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件IF→IR/dI/dt=100A/μs

深圳市芯技科技有限公司
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簡(jiǎn)介:深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。
簡(jiǎn)介: 深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。
保護(hù)器件2
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其余 2 條回答

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    損耗關(guān)聯(lián):Prr∝Qrr×VRRM×f,芯技Si MOSFET trr<100ns(競(jìng)品>150ns)

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    同步整流限制:trr決定死區(qū)時(shí)間下限,芯技低Qrr設(shè)計(jì)支持tdead=50ns

  • MOSFET
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