據在不同溫度下固結的氧化鋁陶瓷的密度，在900℃時(60.3%)，1100℃(81.9%)和1300℃(97.4%)，對應于陶瓷燒結的初始、中間和**終階段。也就是說，無論在燒結的初始階段、中間階段或**終階段，施加振蕩壓力，它都有助于加速致密化。此外，施加振蕩壓力的溫度越高，越有利于致密化。在燒結的中間和***階段使用振蕩壓力也可以促進陶瓷的凝固。在所有三個階段中，暴露于振蕩壓力下的樣品的密度遠高于通過一步躍點或高壓燒結的樣品的密度。通過HP獲得的樣品顯示出比HOP燒結樣品更多孔的結構和更大的晶粒尺寸(1.75±0.27μm)。反過來，在HOP-ALL組的樣品中發現**小的晶粒尺寸(1.41±0.32μm)。因此，HOP-900、HOP-1100和HOP-1300試樣的粒度介于HP-ALL和HOP-ALL之間。振蕩壓力對晶粒生長的影響可能來自晶界能量的降低或曲率半徑的增加，或兩者兼而有之。OPS燒結樣品的硬度高于HP燒結樣品的硬度；HOP1300的硬度高于HOP-1100和HOP-900。HOP-ALL組ce分支的硬度值比較高(20.98±0.25GPa)。霍爾-佩奇效應描述了陶瓷材料的硬度取決于晶粒尺寸和孔隙率。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！冷燒結技術：先進陶瓷材料低溫燒結的新方案！9月份來華南國際先進陶瓷，探討燒結技術新方向！3月10日-12日中國上海市國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會

氧化鋁陶瓷因其優良的力學性能、電性能、化學穩定性，是目前應用***的一種陶瓷材料。但是其具有脆性較大、斷裂韌性較差的特點，斷裂韌性一般為2.5~4.5MPa·m1/2，嚴重限制了其在更***領域的應用，由此，提升氧化鋁陶瓷的斷裂韌性成為行業內的研究重點之一。而氧化鋯增韌氧化鋁（zirconia toughened alumina，ZTA）陶瓷結合了氧化鋁的**度和硬度與氧化鋯的韌性，成為備受關注的先進陶瓷材料。目前，提高氧化鋁陶瓷斷裂韌性有許多途徑，主要可以分成以下三種：1）在氧化鋁陶瓷的基體中引入第二相，使其填充到氧化鋁的晶界處，從而有利于阻斷裂紋的傳播，進而提高陶瓷的斷裂韌性。2）加入Al2O3籽晶，能促使晶粒的異向生長，異向生長會形成片狀以及柱狀的晶粒，這種晶粒類似于晶須，從而對陶瓷有裂紋偏移、晶粒拔出、連接增韌的作用。3）通過粉體的合成過程或陶瓷的制備過程中形成缺陷分布，從而改善氧化鋁陶瓷的斷裂韌性。從整體上來看，應用價值比較高的方式為氧化鋯增韌，將氧化鋯(ZrO2)引入到Al2O3陶瓷中,可制得氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷(ZTA)。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會展中心（福田）2號館！2025年9月10日至12日上海市國際先進陶瓷展國產替代浪潮起，高新MLCC產能加速釋放！來9月華南國際先進陶瓷展，了解陶瓷電容器行業新導向！

MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合起來，經過一次性高溫燒結形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結構體，故也叫獨石電容器。可以看到，內部電極通過一層層疊起來，來增大電容兩極板的面積，從而增大電容量。陶瓷介質即為內部填充介質，不同的介質做成的電容器的特性不同，有容量大的，有溫度特性好的，有頻率特性好的等等，這也是為什么陶瓷電容有這么多種類的原因。2025華南國際先進陶瓷展，誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳福田會展中心！

根據文獻資料，冷燒結（CSP）過程通常包括溶劑添加、單向壓力施加以及溫度升高等關鍵步驟，具體操作流程如下：首先，在陶瓷粉末中摻入適量的溶劑，這樣做的目的是為了確保粉末顆粒表面能夠均勻地被溶劑覆蓋，從而促進液相與固相之間的緊密結合。接著，將預濕的陶瓷粉末倒入室溫或預熱的模具中，并利用液壓機或機械裝置施加單向壓力。當壓力達到預設的最大值時，通過模具頂部和底部的熱壓板或環繞模具的電加熱裝置提供熱量（低于400℃），進而形成結構較為致密的燒結陶瓷體。部分研究表明，通過冷燒結得到的陶瓷材料，其晶粒生長可能不完全，晶界處可能含有非晶態物質。因此，為了進一步提升樣品的致密度，并獲得更優的結構與性能，需要對燒結后的樣品進行進一步的處理。從這些步驟中可以看出，CSP技術采用的是開放式系統，允許溶劑通過模具的縫隙揮發。與需要特殊密封反應容器（例如高壓熱壓，HHP）或昂貴電極（例如火花燒結，FS）的其他低溫燒結技術相比，CSP技術因其設備簡單而顯得更加便捷和實用。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！共繪產業藍圖，智啟未來新篇！就在9月10-12日，深圳福田會展中心，華南國際先進陶瓷展！

半導體晶圓芯片的制程主要涵蓋三段：（前段）晶片制造，（中段）芯片制造，（后段）封裝測試。（前段）晶片制造這一過程主要包括：拉單晶、磨外圓、切片、倒角、研磨拋光、清洗、檢測；（中段）晶圓芯片制造主要包括：氧化、擴散等熱處理、薄膜沉積（CVD,PVD）、光刻、刻蝕、離子注入、金屬化、研磨拋光、測試；（后段）封裝測試主要涉及晶圓芯片切割、引線鍵合、塑封、測試等。整個半導體產業鏈包括IC設計、IC制造、IC封裝測試幾大部分。涉及的關鍵工藝制程和設備包括：光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學機械拋光、高溫熱處理、封裝、測試等。2025華南國際先進陶瓷展將于9月10-12日在深圳會展中心（福田）2號館盛大開幕！群英薈萃！9月華南國際先進陶瓷展邀您赴會，共探行業新機遇！2024年3月6日先進陶瓷產業博覽會

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提到如何提高球磨機的產量，人們首先考慮的就是研磨體級配。其實，還有一個比較容易控制但常被人們忽略的工藝參數就是料球比，它對產量的影響可達5%~10%。料球比是指球磨機內物料與研磨體的質量之比。料球比實際上也就是各倉的料層厚度，它與磨內的物料流速密切相關。傳統觀念認為一倉應露“半球”，二倉料面與球面相等，三倉研磨體上應有10~20mm料層。 影響球磨機內料球比的三個零件：它們分別是隔倉板、揚料板與卸料錐。物料在球磨機內通過雙層隔倉板的過程是：物料首先通過隔倉板篦孔進入卸料倉，被隨磨機旋轉的揚料板帶到一定高度后在重力作用下沿揚料板面滑到卸料錐，再沿卸料錐斜面進入下一倉。上述3個零件中的任何一個的變化都會影響磨內的料球比。2025華南國際先進陶瓷展，9月10-12日，深圳福田會展中心！ 3月10日-12日中國上海市國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會